ツェナー - これは何であり、それがために何ですか？

ツェナー - ダイオードは、ユニークな特性を持つ半導体です。 もし通常の半導体逆包含は絶縁体である場合、可逆アバランシェ降伏が発生するところ、それは、印加電圧の特定の成長まで、この機能を実行します。 ツェナーダイオードの逆電圧を通る流れのさらなる増加に起因する抵抗の比例減少に一定のままです。 安定化モードを実現することができ、このようにして。

閉じたときに、ツェナーは、第1の小リーク電流を通します。 素子は、抵抗値が大きい抵抗体として振る舞います。 ツェナー抵抗の破壊に無視できるようになります。 さらに、入力電圧が上昇し続けた場合、要素は、ウォームアップを開始し、現在は不可逆的な熱暴走の許容値を超えた場合。 それはそれにもたらされていない場合、ツェナー・ワークスペースプロパティの上限にゼロの電圧の変化は保持されます。

直接ツェナーダイオードを切り替えた場合の特性はダイオードと異なりません。 p型プラス領域とマイナスに接続されている場合 - 遷移抵抗のn型領域に小さく、電流が自由に流れます。 彼は、入力電圧に応じて増加します。

ツェナー - 主に後方接続されて特別なダイオード。 最初の要素は閉じた状態にあります。 絶縁破壊のツェナー電圧は、大電流範囲で一定に保たれている場合。

陽極負とカソードに供給される - プラス。 安定化（点以下2）及び過熱を越えて細胞障害の確率が高くなります。

の特徴

次のようにツェナーダイオードのパラメータは次のとおりです。

• U _V -公称電流I _vで安定化電圧_;
• _記事 I _minは-最小故障電流を開始します。
• I _{ST 最大} -最大許容電流。
• TKN - 温度係数。

半導体デバイス、電気的および熱的破壊のフィールドの電流 - 電圧特性が互いに十分に配置されている - 従来のダイオード、ツェナーダイオードとは異なり。

多くの場合、表中の関連パラメータの最大許容電流で - 消費電力：

P _最大 = I _maxの ∙U _{のV V。}

ツェナーダイオードの動作の温度依存性は、TKNが正または負であってもよいです。 係数の異なる符号を有するシーケンシャル接続要素は、加熱または冷却に依存しない高精度のツェナーあります。

回路の

バラスト抵抗R _bおよびツェナーダイオードシャント負荷からなる単純な安定化剤の典型的な図です。

いくつかのケースでは、安定化の侵害があります。

1. 出力フィルタ・コンデンサの存在下での電源から安定化送り込み大きい電圧。 充電突入電流は、ツェナーダイオードや抵抗R _bの破壊の障害を引き起こす可能性があります_。
2. 負荷制限。 ツェナーダイオード電流の最大入力電圧に適用した場合、その破壊や加熱につながる許容を超えてもよいです。 パスポート、安全動作領域を遵守することが重要です。
3. ツェナーダイオードへの供給電圧と最大許容負荷電流の最小可能値で作動規制ゾーンになるように、抵抗R _bは 、小さな選択されます。

安定剤を使用サイリスタ保護回路または保護するために ヒューズを。

抵抗R _bは式によって計算されます。

R _B =（U _ピット - Uの_SG）（IはI + _{V N）。}

私は_Vツェナー電流は、入力電圧U _ピットおよび_n負荷電流Iとに応じて、許容される最大値と最小値の間で選択されます_。

ツェナーの選択

要素は、電圧安定化に大きな変動を有します。 U _nの正確な値を得るために_、ツェナーダイオードは、同じバッチから選択されます。 パラメータの狭い範囲の種類があります。 ラジエーターに取り付けられた高電力損失要素で。

例えば、ツェナーダイオードのパラメータの計算に必要な入力データを、次のように

• Uの_NUM = 12-15 -入力電圧。
• Uの_V = 9 -安定化電圧、
• R _N = 50〜100ミリアンペア-負荷。

低消費電力のデバイスの特性パラメータ。

12 Vの最小入力電圧は、最大負荷時の電流は、選択される - 100ミリアンペアを。 オームの法則によると、チェーンの総重量を見つけることができます：

_RΣは 12 V / 0.1 A = 120オーム=。

ツェナー電圧降下0.1の電流In 9 V.ダミー負荷です。

R _EQ = = 90オーム9 V / 0.1 A。

今では、バラスト抵抗を決定することが可能です。

R _B = 120オーム- 90オーム= 30オーム。

これは値が計算値と一致標準範囲から選択されます。

ツェナーダイオードを流れる最大電流は、任意のはんだをはがし、ワイヤ場合には、順不同ではないことを、考慮に負荷断線を取ることによって決定されます。 抵抗の電圧降下は次のようになります。

9 = 6 V. - U _Rは、15 =

次に、抵抗を流れる電流：

I _R = 6/30 = 0,2 A.

ツェナーダイオードは、これに直列に接続されているので、私は=私は= 0,2 A.を_{R Cは}

消費電力は、P = 0,2∙9 = 1.8ワットになります。

適切なツェナーD815Vを選択して得られたパラメータに従って。

対称ツェナー

DIACは、スイッチング素子、導電性の交流です。 彼の作品の特徴は、それが含まれる2つの反対に、従来のツェナーに置き換えることができ、30〜50 Vの範囲に含まれる複数のボルトに電圧をドロップすることです。 デバイスはスイッチング素子として使用されています。

アナログツェナー

あなたは、適切な要素を見つけることができない場合には、ツェナーダイオードトランジスタのアナロジーを使用しています。 彼らの利点は、電圧レギュレーションの可能性があります。 これは、複数の段階でDCアンプを適用することができます。

確立するために、入力電圧分圧器で トリミング抵抗 R1を。 入力電圧が増加すると、トランジスタに基づいてVT1も増加しています。 これにより、その安定した出力を維持し、電圧上昇を補償トランジスタVT2、流れる電流を増加させます。

マーキングツェナー

プラスチック製のハウジング内にガラスツェナーダイオードとツェナーダイオードで利用できます。 最初のケースでは、それらは文字V.タイトル9V1は、そのUの_V = 9.1 [V]を示している間に、数字2に適用され

プラスチックハウジングの碑文では、あなたはまた、他のオプションを見つけることができますデータシートを、使用して解読されています。

プラスに接続された陰極で示さ体に暗いリング。

結論

ツェナー - 特殊な性質とそれをダイオード。 利点は、電流変化の広い動作範囲にわたって高いツェナー電圧レギュレーション、ならびに単純な接続方式です。 安定化するために、低電圧デバイスは、順方向を含み、それらは通常のダイオードとして機能し始めます。